各位朋友，大家好！小编整理了有关基极电流的解答，顺便拓展几个相关知识点，希望能解决你的问题，我们现在开始阅读吧！
三极管控制LED如何计算基级电流?
1、因为发射极电流是基极电流的（1+β）倍，发射极电压=发射极电阻*发射极电流。发射极电压也就是发射极电阻上的电压。所以，发射极电压=URe=Ie*Re=（1+β）Ib*Re。在基极回路里，基极到接地点的总电压为：Ube+Ure。
2、Ib =(3V-0.7V) / （R1+(1+β)R2） 求得的值太小，感觉不科学。Ic=βIb Ie=(1+β)Ib 计算方法就是这样。Uce=5V- Ie*Re， 算得 UceUbe=0.7V 时，则为放大状态；小于Ube 则为饱和状态。
3、NPN型管集电极接负极，发射极接正极，电压要大于饱和电压。PNP型管集电极接正极，发射极接负极，电压要大于饱和电压。
4、首先确定集电极饱和电流Ics，忽略集电极饱和压降，Ics=Vcc/RL，三极管电流放大系数取较低值即可，如HFE=50左右。则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE，一般取2倍Ib。
5、基极电流回路是图中蓝色圈，与红圈没有关系。所以红圈不影响IBQ。因为三极管发射结其实就是一个二极管，所以它导通时两端压降是固定的（硅管以0.7V计），并且电压达不到0.7V就不能导通。所以计算电流就要减去0.7V。
基极驱动电流如何计算?
基极电流等于基极-发射极之间的电压差除以基极-发射极之间的电阻值。根据查询与非网得知，直流分析法： 在直流电路中，可以使用基本的欧姆定律来计算基极电流。
即23Ω与10Ω分压，发射极电压约为12V*10/（23+10）=7V，基极电压4V，基极电流（Rb上电流）=（12-4）/100Ω=76mA。因为分压时没有考虑Rb电压比Rc电压小0.7V，计算出的基极电流比实际值略微偏大。
Ib=(V+ - 0.7)/10K - 0.7/RG 0.7为三极管BE节压降，近似值，一般在0.5-0.7之间；RG电阻不是定值，受光照影响，应该测出不同光照强度下阻值后带入计算。
Ib的最大值出现在Vcc接通瞬间，此时的Ib可以这样估算：（之后基级电流将逐渐减小）Ib=（Vcc-0.7）/R3 式中：0.7V是三极管9013的be结电压，求出流过R3的电流，自然就是Ib了。不知说清楚了没有，供你参考。
基极流过的电流只有Ib，而基极到地的电压是Ube+URe，除以ib就是从基极看进去的等效电阻Rb。即Rb=（Ube+URe）/Ib=[Ib*Rbe+Ib*（1+β）*Re]/Ib = Rbe+（1+β）Re。输入端b的等效电阻相当于增大了（1+β）Re。
因为基极电流太小，但引起晶体管的动态变化很大，就只测集电极和发射极电流就行。用表头内阻最小、直流压降最小的表测吧！直接串在线路上。方法是；把敷铜板用刀片划一个缺口，用表笔测就是。然后再补焊。
三极管基极电流怎么形成的
1、发射区向基区扩散电子，由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子自由电子不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流。
2、扩散运动形成发射极电流IE，扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流IB，集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC。发射结加正向电压且发射区杂质浓度高，所以大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区。
3、(2) 基区空穴浓度很低 基区空穴浓度很低使得从发射区到达基区的电子中，只有少量电子有机会与基区的空穴复合而形成基极电流，相当于很逗荒凉地，兔子不拉屎，电子难安家。
4、由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。
为什么基极电流过大,三极管会击穿?
其一集电极最大允许电流ICM，使用晶体不得超过此电流值；其二集电极—发射极击穿电压BUceo，即基极开路时，加于集电极与发射极的最大允许电压。否则导致管子击穿。
问题四：为什么基极电流过大，三极管会击穿？ 憨常情况下基极电流与三极管的击穿关系不大，三极管的击穿主要是PN结的反向电压过高，超出了三极管的耐受能力。基极电流过大会引起的是功耗过大导致NP结过热烧毁。
三极管的软击穿 击穿时PN结的温度上升，如果还没有破坏PN结的结构，则造成击穿的条件去除后，PN结的功能能够得到恢复或部分恢复，就可认为不是硬击穿或称为软击穿。
三极管是通过小电流控制大电流的，那么这个大电流是受基极电流大小控制的会随基极电流增大而增大。
还有一种击穿是流过集电结的电流过大，引起集电结发热，该反向击穿电压随温度升高耐压降低，形成工作过程中的击穿，这种通常称为热击穿。
本来三极管导通的时候集电极PN结就是反向击穿的，如果你没有限流的措施，导致管子电流持续上升，最终导致雪崩击穿。你看看是不是这种情况啊。参数的200V击穿电压指的是不加基极电流的情况下的击穿电压吧。
基极电流达到多少时三极管饱和?比如9013、9012之类的。
Uce=Uces，即使在饱和状态下Ube ≈0.7v，9019012饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于2V 。三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
是否能达到开关状态，不仅仅要看基极电流，还要看你所要接通的集电极电流大小以及晶体管的β，如果Ic/Ib小于晶体管的β，饱和了，反之不饱和。
追问： 不能 一个PN节 相当于 一个二极管（举例：肖特基的0.3v左右 其他的0.7-3那样）没有电势差PN结不能正偏 ！基极电流输入的大小能控制集电极输入的电流大小 放大倍数90-120倍那样 。
当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和，饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定，饱和电流的大小与三极管无关，一般当ce电压小到0.4V时三极管就饱和了。
试集电极电流和基极电流的组成部分是什么?
在晶体管电路中，集电极电流与基极电流之和等于发射极电流。这是它们三者之间的关系。
三极管没有正、负极之分，只有PNP管和NPN管的说法。三只脚分别是基极（B），集电极（C），发射极（E）。集电极接高电位，发射极接低电位。
集电极的结构是：集(上下结构)电(独体结构)极(左右结构)。集电极的结构是：集(上下结构)电(独体结构)极(左右结构)。拼音是：jídiànjí。
发射极就是发射电子，基极就是控制电子（使流向集电极的电流受基极输入信号的控制），集电极就是收集电子。电流不同 基极电流最小，发射极电流最大。半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。
以上内容就是解答有关基极电流的详细内容了，我相信这篇文章可以为您解决一些疑惑，有任何问题欢迎留言反馈，谢谢阅读。
