各位访客大家好!今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于PMOS管的问题，于是小编就整理了几个相关介绍的解答，让我们一起看看吧，希望对你有帮助
mos管电平导通与截止
放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。
如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。场效应管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。
简单的说，mos管通过g端的电平来控制d与s端的导通，就像开关一样（g为按键，d与s分别为两边连线）。N、P型的区别，就是一个为正电压启动(NMOS)，一个为负电压启动(PMOS)。
mos管符号是什么?
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
场效应管分为结型(JET)管和绝缘栅型(MOS)管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。
在MOS场效管图形符号中，在D、S极的中间有一引线(它不是带箭头的，带箭头的是S极)，表示衬底。不管是P型还是N的MOS管，它们的衬底都是杂质浓度较低的P型(或N型)硅衬底。
G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。
什么是pmos和nmos?
1、PMOS是一种P型半导体MOSFET，其主要由P型材料制成。当栅极电压为负电压时，PMOS处于导通状态，栅极电压为正电压时，PMOS处于截止状态。PMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为负值时，PMOS导通。
2、pmos和nmos的区别是mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
3、NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。
4、不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
5、可以根据电流的方向来判断，从管子中流出的为NMOS管。 还可以根据电流的方向来判断，流入管子的为PMOS管。
各位小伙伴们，我刚刚为大家分享了有关PMOS管的知识，希望对你们有所帮助。如果您还有其他相关问题需要解决，欢迎随时提出哦！
