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常温下硅管在死区电压是多少?导通电压降约为多少?
硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
对于典型的硅管，其死区电压约为0.7V，然而具体数值会因不同的硅管类型和制造商而有所差异。
什么是死区电压?
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。
死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。
死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。
为了防止两个功率管在一个瞬间出现连接电源的正负极之间的同时导通事件。驱动电路在分别驱动两个功率管栅极的时间顺序中间插入一段由硬件逻辑控制的两个功率管全部截止一段时间的控制设计手段。即死区概念。
【死区电压】也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
硅管的死区电压是多少
1、硅管的死区电压为0.5V，这是指三极管基极到发射极的正向电压，即Ube，如下图的输入特性曲线所示。三极管的导通是靠Ube的大小来控制的，从0V逐渐增加到0.5V，三极管一直处于截止状态，所以称0.5Ⅴ为死区电压。
2、一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。
3、正向加电压时，如果是P型半导体，空穴参加导电，N型半导体电子参与导电。硅为主要材料制成的二极管，死区电压0.6V左右、导通电压为0.7V左右。锗为主要材料制成的二极管，死区电压0.2V左右、导通电压为0.3V左右。
死区电压是什么
1、死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。
2、死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
3、死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。
4、死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。
开启电压,死区电压,击穿电压
1、死区电压也叫开启电压，击穿电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。
2、在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
3、放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时。饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时。
4、如图1 - 13所示，正向电压超过二极管开启电压uon（又称为死区电压）时，电流增长较快，二极管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关，通常硅管的开启电压为uon=0.5v(a点)，锗管为uon=0.1 v(a点)。
5、二极管的主要特性：正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
6、二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
硅二极管的死区电压是多少?
一般硅二极管的死区电压约为0.5V。死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约0.5V，锗管约0.1V。
硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。
硅管的死区电压约为0.7V。硅管（也称为硅二极管）是一种常见的半导体器件。它通常具有一个正向工作区和一个反向截止区。当硅管处于反向偏置时，需要达到一定的电压才能使其进入截止状态，此电压被称为死区电压。
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