各位朋友，大家好！小编整理了有关势垒的解答，顺便拓展几个相关知识点，希望能解决你的问题，我们现在开始阅读吧！
势垒宽度公式
对突变结来说，n区有均匀施主杂质浓度，p区有均匀受主杂质浓度。
eVD=n-p=E-p-E-n。pn结势垒就是指pn结的界面存在空间电荷区，该空间电荷区对于载流子而言就是一种能量势垒，pn结势垒高度为eVD=n-p=E-p-E-n。
电子贯穿系数T随势垒宽度a的增加而迅速减小，下表给出的是(U0－E)=5eV时的具体数据。
cb=cj-cd。势垒电容=结电容-扩散电容 ，结电容的简称是cj，扩散电容的简称是cb，既cb=cj-cd。电容亦称作“电容量”，是指在给定电位差下自由电荷的储藏量。
势垒区和耗尽区区别
显然不一样。这些区域都存在于两半导体或者半导体-金属接触的地方，空间电荷区指载流子浓度超过原载流子浓度的区域，而耗尽层则相反。
简单的说空间电荷区就是一个耗尽层。书上没有写错。
势垒电容：在积累空间电荷的势垒区，当PN结外加电压变化时，引起积累在势垒区的空间电荷的变化，即耗尽层的电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充、放电过程相同。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。
什么是电子注入势垒?
1、假设空间中的势能处处给定了，你可以把势阱或势垒理解成特定的空间区域，势阱就是该空间区域的势能比附近的势能都低，势垒就是该空间区域的势能比附近的势能都高。基本上就是极值点附件的一小片区域。
2、扩散电容是正偏压时少子的电容效应引起的，势垒电容是反偏压时空间电荷的电容效应引起的。
3、势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区（势垒区）的电容；由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。
势井.势垒是什么意思?
1、简单来说，势阱和势垒的区别在于：势阱是描述的被困住无法逃离的区域，而势垒是描述的被力量推动移动到另一个相对更安全的位置的区域。
2、是一个量子概念，量子力学里常见。形象点可以看成是能量的凹下和凸起。
3、势阱是概念是在空间内，某一个有限范围内势能最小，如同陷阱一般，称为势阱，又称势陷。最著名的势阱是一维势阱，在任何一门量子力学入门课里会提及。
4、中间电势较低。那么处在中间能带上的电子想要离开这个区域，就要克服较大的这个电势差，我们称为势垒。
势垒贯穿效应与势垒的什么有关?
隧道效应由微观粒子波动性所确定的量子效应。又称势垒贯穿。
势能垒通常表示为横跨反应坐标的高度。如果势能垒很高，则说明反应速率很慢，因为分子需要消耗更多的能量才能克服它。另一方面，如果势能垒很低，则说明反应速率很快，因为分子只需要少量能量就可以克服它。
势垒贯穿的根本原因是“测不准原理”，只要你认可测不准原理，就很容易理解势垒贯穿了。物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。
而能量低于势垒的仍有一定概率实现反应，即可能有一部分粒子(代表点)穿越势垒(也称势垒穿透barrier penetration)，好像从大山隧道通过一般。这就是隧道效应。量子隧穿效应举例像我们平时球扔向墙壁，势必都会弹回来。
势垒贯穿的根本原因是“测不准原理”，只要你认可测不准原理，就很容易理解势垒贯穿了，并不需要你去了解复杂的薛定谔方程求解。
小伙伴们，上文介绍势垒的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。
