psram

哈喽！相信很多朋友都对psram不太了解吧，所以小编今天就进行详细解释，还有几点拓展内容，希望能给你一定的启发，让我们现在开始吧！

简述sram和dram的主要区别

数据存储不同：SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失。

工作原理不同：SRAM在工作时不需要刷新，而DRAM在工作时需要定期刷新，否则数据就会丢失。速度不同：SRAM的速度要快于DRAM，因为SRAM在工作时不需要刷新，而DRAM需要定期刷新，这会使DRAM的速度变慢。

本文将介绍SRAM和DRAM的区别，帮助读者更好地了解存储芯片。稳定存储SRAM 里面的单位是若干个开关组成一个触发器，形成可以稳定存储 0，1 信号，同时可以通过时序和输入信号改变存储的值。

记忆体专利诉讼，独立发明人James Goodman控告英特尔等6家厂商。

後来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。第二种闪存称为NAND闪存。

桀冈富士雄。桀冈富士雄：英文名Fujio Masuoka，出生于1943年，日本人，闪存的发明者。在任东芝公司生产线中层管理人员时，即一心要发明能象软磁盘那样可插取、具有“磁带”存储功能的存储器。桀冈富士雄于1971年加入东芝公司。

西点军校”，是名副其实的“人才摇篮”。1955年子～57年由8位年龄未满30的年轻人组成仙童半导体公司主要研制半导体材料。早在1962年，仙童半导体公司就在缅因州建立研制和制造晶体管的生产线，主要研制和生产半导体存储器。

SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。

伪sram(亦即psram) 如果需要16mb以上的存储密度，则psram(或称伪psram)是一种可行的解决方案。所谓伪sram是指一种具有一个dram存储器核心和一个 “sram型”接口的存储器件。

在我们一般用的什么SRAM啊，PSRAM啊，RAM啊，一般而言都是有多少根地址线，然后可以算出寻址空间，比如有11根地址线，那寻址空间就是2的11次方减1。

方便地进行不同类型大容量静态存储器的扩展。STM32是ST(意法半导体)公司推出的基于ARM内核Cortex－M3的32位微控制器系列。Cortex－M3内核是为低功耗和价格敏感的应用而专门设计的，具有突出的能效比和处理速度。

1、无须设置，更换游戏也不掉档；存档与NORFLASH同步；镜像功能可备份PSRAM所有存档到SRAM.BIN中，以后烧录NorFlash时，通过镜像还原使 NorFlash使用PSRAM的存档。

2、存档类型是通过EZ4 Client转换是设置的。GBALDR无法识别中文，所以无法建立中文名的存档，如果文件夹内有该中文名存档就没问题。

3、SOLT2是EZ3IN1，游戏为蓝宝石日文版，一个完美386存档。

以上内容就是解答有关psram的详细内容了，我相信这篇文章可以为您解决一些疑惑，有任何问题欢迎留言反馈，谢谢阅读。