嗨，朋友们好！今天给各位分享的是关于俄歇复合的详细解答内容，本文将提供全面的知识点，希望能够帮到你！
俄歇复合的数据
实验表明，在Si发射区掺杂浓度10cm 时，Auger复合寿命将小于Shockley-Hall-Read复合寿命（SHR复合寿命的典型值为10s ）。
俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。
扩展二：俄歇复合是半导体中一个类似的俄歇现象：一个电子和空穴（电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作碰撞电离。
电子和空穴复合时将多余的能量传给另一导带中的电子或空穴（实际上是传给加带中的另一电子），这种形式并不伴随发射光子，成为俄歇复合。获得能量的另一载流子再将能量已声子的形式释放出去，回到原来的能量水平。
另一个(或多个)电子能量增高的跃迁过程，最后使原子处于双电离状态。命名者：俄歇效应是以其发现者，法国人皮埃尔·维克托·俄歇(Pierre Victor Auger)的名字命名的。其他：“俄歇复合”是指俄歇跃迁相应的复合过程。
什么是俄歇复合
电子和空穴复合时将多余的能量传给另一导带中的电子或空穴（实际上是传给加带中的另一电子），这种形式并不伴随发射光子，成为俄歇复合。获得能量的另一载流子再将能量已声子的形式释放出去，回到原来的能量水平。
非辐射复合包括：（1）俄歇复合（2）无辐射复合中心复合（3）多声子复合。非辐射复合一般是把复合能量转换为热能或者是晶格的振动。
辐射复合：根据能量守恒原则，电子和空穴复合时应释放一定的能量，如果能量以光子的形式放出，这种复合称为辐射复合(Radiative Recombination)。
量子阱激光器为什么阈值电流小
1、量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。
2、这一特性加上量子阱中态密度的二维特性以及能带工程各种调控手段，可使量子阱激光器的阈值电流减小、发射波长可调、微分增益提高、特征温度等性能得到改善。半导体量子阱在其他光电器件中也得到了广泛的应用。
3、量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前场应用的主流产品。
4、一般来说是这样的。半导体激光器阈值电流应该是刚开始可以让激光器出光振荡的电流值，这时的激光是很弱的(刚出光时的电流），如果要正常工作，通常是要调大电流的。
5、半导体激光器对温度敏感。环境温度的变化和注入电流的热效应都会使激光器的阈值电流以及输出光功率发生变化。有源层对费平衡载流子的收集能力减弱。这些因素都会使所需的光增益变大，从而使阈值电流密度增加。
俄歇效应的俄歇复合
俄歇复合 是半导体中一个类似的俄歇现象：一个 电子和空穴 （电子空穴对）可以复合并通过在能带内发射电子来释放能量，从而增加能带的能量。其逆效应称作碰撞电离。
【俄歇效应】(Auger effect)，简称AES。
俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合，是“碰撞电离”的逆过程。
电子和空穴复合时将多余的能量传给另一导带中的电子或空穴（实际上是传给加带中的另一电子），这种形式并不伴随发射光子，成为俄歇复合。获得能量的另一载流子再将能量已声子的形式释放出去，回到原来的能量水平。
跃迁的电子名为俄歇电子。俄歇效应是研究核子过程（如捕捉过程与内转换过程）的重要手段，同时从俄歇电子的能量与强度，可以求出原子或分子中的过渡几率。反之，由已知能量的俄歇光谱线，可以校准转换电子的能量。
俄歇复合的介绍
俄歇跃迁相应的复合过程可以称为俄歇复合。俄歇效应是三粒子效应，在半导体中，电子与空穴复合时，把能量或者动量，通过碰撞转移给另一个电子或者另一个空穴，造成该电子或者空穴跃迁的复合过程叫俄歇复合。
由于具有带隙可调、电子有效质量大、俄歇复合率低等特点，Ⅱ类超晶格在长波红外和甚长波红外探测方面具有独特优势。介绍了长波超晶格探测器制备方面的研究进展，包括能带结构设计、表面缺陷控制、周期结构控制和表面钝化。
小伙伴们，上文介绍俄歇复合的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。
