cvd设备

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什么是cvd法?对于mocvd,它的优点和缺点是什么

CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应。

化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition）：在高温或低温下，利用气态前驱体与基材表面发生化学反应，生成薄膜。CVD的主要技术包括热CVD、等离子体增强CVD（PECVD）、金属有机CVD（MOCVD）等。

电化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。

CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。

以化学气相沉积法(CVD)为例：所谓CVD法，指的是反应物质于气态条件下产生化学反应，进而在加热固态基体表生成固态物质，从而实现固体材料的制成的工艺技术】。

热丝法的优点是：设备简单，操作容易。缺点是：生长速度慢（1～2μm/h）；热丝的化学成分会污染金刚石膜。

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2、化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。

3、CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应。

4、CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。

5、cvd指的是脑血管疾病（cerebrovascular disease），是发生在脑部血管，因颅内血液循环障碍而造成脑组织损害的一组疾病。人们生活中所讲的“脑血管意外”、“卒中”和“中风”都属于脑血管疾病。