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为什么离子注入过程都是正离子
离子注入的具体原理是将所注入的气体离子化成为带正电荷的离子束。对离子束用磁场进行筛选后，得到所需要的注入离子，再加速撞击到注入表面，达到注入离子的目的。在这过程中，需要控制好真空度，一般需要超高真空。
离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。
离子源的原理：简单来说，离子源就是将气体原子或分子电离成离子的装置。
离子注入平面硅探测器原理
硅探测器是一种电子器件，它使用硅材料来检测射线或其他类型的电磁辐射。当硅材料接收到电磁辐射时，会产生电荷，这些电荷可以在探测器的电路中被检测到。
查询中国科学院近代物理研究所了解，金硅面垒探测器原理是射线被探测器阻止而损耗能量，并由这部分能量来产生信号。 Au-Si面垒探测器是用面垒工艺制备的半导体硅探测器，这种工艺在1960年代已经成熟。
简单来说就是光电效应，光照射到硅光电池上后，转化成电流，通过测量电流来推算出输入的光功率。当然不同波长的光即使功率相同，输出的电流也不一样，所以需要根据不同波长进行折算。
具体原理：曝光前，将阳离子储存在硅表面，产生均匀电荷，在硅表面产生电子场；通常，探测器接收到的辐射信号强度取决于人体横截面中组织的密度。
结构不同。非晶硅平板探测器的结构主要是由闪烁体和感光体(具有光电二极管作用的非晶硅层)集成在一起再加TFT阵列构成；非晶硒平板探测器的结构主要是由非晶硒层加TFT阵列构成。A/D转换原理不同。
根据中华医学网得知：非晶硅平板探测器的特性有高分辨率：非晶硅平板探测器可以提供高分辨率的图像，使医生能够更准确地诊断疾病。
三次离子注入的目的是什么
1、离子注入的具体原理是将所注入的气体离子化成为带正电荷的离子束。对离子束用磁场进行筛选后，得到所需要的注入离子，再加速撞击到注入表面，达到注入离子的目的。在这过程中，需要控制好真空度，一般需要超高真空。
2、离子。离子注入机是通过电场加速离子，原子不带电，无法加速注入。离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。
3、修复单晶结构并激活掺杂物。退火是一种金属热处理工艺，离子注入的过程中，离子与晶格原子碰撞会使原子从晶格的束缚能中释放出来，保持足够时间，然后以适宜速度冷却，目的是可以修复单晶结构并激活掺杂物。
4、离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。
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