好久不见，今天给各位带来的是寄生电容，文章中也会对寄生电容产生的原因进行解释，如果能碰巧解决你现在面临的问题，别忘了关注本站，现在开始吧！
什么是寄生电容
1、寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。
2、寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
3、寄生电容 在学术文献中的解释另一方面传感器除有极板间电容外，极板与周围体（各种元件甚至人体）也产生电容联系，这种电容称为寄生电容。
4、寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
双绞线寄生电容有多大
走线寄生电容一般3~5pF。根据查询相关信息显示，从ST手册可以查到，STM32F103的晶振输入电容是5pF，而PCB走线的寄生电容可以估值3pF到5pF。
也就是63pF（皮法）。寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线构之间总是有互容，互感就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容。
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。
各种电阻的寄生电容大小取决于电阻器本身的结构设计和制造材料。常见的电阻器类型包括普通碳膜电阻器、金属膜电阻器、有源电阻器、高精度电阻器等。不同类型的电阻器其寄生电容的数值也不同。
米线接地的寄生电容是0.3nH。寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚在高频情况下表现出来的电容特性。
走线寄生电容一般多大
1、每米50pF。双绞线是一种综合布线工程中最常用的传输介质，是由两根具有绝缘保护层的铜导线组成的，通常双绞线寄生电容是每米50pF，寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。
2、米线接地的寄生电容是0.3nH。寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚在高频情况下表现出来的电容特性。
3、三极管电容大约0.01～3uF。TL431在作为基准电压源使用时，要求最小工作电流要≥1mA，否则稳压性能将变差。其最大工作电流为100mA，在高压输出时，工作电流不可过大，否则TL431会严重发热。
4、一般来说，数值在几个皮法到几十皮法之间。此外，寄生电容还会受到实际工作环境的影响，例如电路中相邻元器件的电磁干扰等。在具体应用时，需要针对实际情况进行精确测量和分析，以确保电路的稳定运行和性能表现。
5、无源晶振：无源晶振有2个无极性的引脚，是有加上匹配电容才可以起振。
6、代入可得：C=3*86*10^(-12)*29*10^(-6)/10^(-4)=63*10(-12)法拉；也就是63pF（皮法）。
IGBT的极间寄生电容是如何定义的?
寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。
IGBT寄生电容参数输入电容及反馈电容（米勒电容）是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容限制开关转换过程的，造成的损耗可以忽略。
这个电流产生使门极电阻两端产生电压差，这个电压如果超过IGBT的门极驱动门限阈值，将导致寄生导通。设计工程师应该意识到IGBT节温上升会导致IGBT门极驱动阈值会有所下降，通常就是mv/℃级的。
你好：不是的 ，晶体管结电容就是 PN 结的电容，而 极间电容 还包括引线间的电容。
到此，以上就是小编对于寄生电容产生的原因的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
