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高铁中的IGBT是什么?
IGBT就是一个由晶体管实现的电路开关。当其导通时，可以承受几十到几百安培量级的电流；当其关断时，可以承受几百至几千伏特的电压。家庭方面的主要应用比如变频空调、电磁炉，微波炉，还有就是电脑电源的主动pfc还有UPS。
那像咱们高铁或者电动车这样的驱动，也是需要一种器件，去作为电流的变换，而IGBT就是作为电能变换的这么一个CPU。 据统计，我国发电总量的60%都用在了各类电机上。
IGBT全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种高压、高功率开关装置，由于其结构类似于MOSFET，又具有BJT低压降的特点，因此在一些应用领域中更加普遍。
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
IGBT（绝缘栅双极晶体管，Insulated Gate Bipolar Transistor）是半导体铁电效应器件的一种。
IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 的简称，中文可以翻译为“绝缘栅双极晶体管”。它是一种功率电子设备，应用于许多高功率开关电源和电力控制应用中。
中国igbt前五大
1、分别是斯达半导、扬杰科技、比亚迪半导体、中车时代、士兰微。斯达半导体（603290）是中国IGBT的领导者。得益于加速的国产化进程，IGBT模块的全球市场份额为2%。
2、西门子（中国）有限公司：在全球IGBT市场上占据重要地位，其产品广泛应用于各个领域，如工业自动化和交通运输等。东芝中国有限公司：以其高品质的IGBT产品和可靠的性能著称，广泛应用于电力设备和电子设备领域。
3、IGBT模块市场上，目前处于国内龙头地位的主要有三家企业：英飞凌、三菱电机和ABB。其中，英飞凌是市场份额最大的厂商，维持着稳定的市场地位。
4、中高端IGBT芯片设计和制造中的技术创新和突破主要由国外制造商主导。在全球市场上，英飞凌，富士电机和IXYS等国际制造商涵盖了IGBT芯片产品的整个电压范围，而瑞萨，罗姆和意法半导体等制造商则专注于中低压产品。
5、斯达半导：IGBT里边的龙头股该公司是我国IGBT领域领军企业和唯一进入全球前十的IGBT模块供应商，其次，该公司的IGBT产品广泛应用于新能源、汽车电子、家用电器等领域，是电力行业的CPU。自成立以来。
功率半导体器件有哪些分类?
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：特点：有非常高的输入阻抗和较快的开关速率。它们是现代电源电子中最常用的功率半导体器件之一，广泛应用在开关电源、逆变器等电路中。
功率半导体器件可分为功率半导体分立器件（Power Discrete，包括功率模块）和功率半导体集成电路（Power IC）两大类。因此，功率半导体分立器件实际上是功率半导体器件的一个子类。
- 双极型晶体管（BJT）：常用于放大和开关应用。- 场效应晶体管（FET）：包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT），用于功率放大和开关应用。
单极型器件是指内部只有主要载流子参与导电过程的半导体器件。常见产品有Power Mosfet（场效应晶体管）、SIT（静电感应晶体管）。前者为电压控制器件，具有驱动功率小、工作速度高、无二次击穿问题、安全工作区宽等优点。
当前主流的电力电子器件有哪些?各自适用的场合?
其他：UPS、 航天飞行器、新能源、发电装置。
电力电子器件主要包括MOSFET和IGBT。MOSFET是一种电压控制电流型器件，具有输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快、工作频率高等优点。它的工作原理是通过在栅极上施加电压来控制源漏极之间的通断。
电力电子器件根据其被控制电路信号控制的程度通常分为以下几类：开关器件（Switching Devices）： 这类器件的操作状态可以通过一个控制信号（通常是电压或电流）迅速切换，从导通到截止或反之。
常用全控型电力电子器件：门极可关断晶闸管。电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件：电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。
电力电子器件：电力电子器件是电力电子技术的基础。常见的电力电子器件包括二极管、晶闸管、可控硅、功率晶体管、IGBT等。这些器件能够实现电能的控制和转换，如整流、逆变、变频等。
常用全控型电力电子器件有哪几种？[1]门极可关断晶闸管（Gate Turn Off THyristor，GTO）。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断，所以它是电流控制型的全控型器件。
新型电力电子器件GTR,GTO,SIT,IGBT,MOSFET,SITH,MCT,IGCT的英文...
如可关断晶闸管（英文缩写：GTO）、电力晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（Power Mosfet）、绝缘棚式双极型晶体管（IGBT）、静电感应晶体管（SIT）、静电感应晶闸管（SITH）、MOS晶闸管（MCT）等。
单极型器件 单极型器件也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型器件。
例如电力二极管。按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。
GTR（电力晶体管）。MOSFET（电力场效应晶体管）。IGBT（绝缘栅双极晶体管）。
电力晶体管（Giant Transistor，GTR），GTR也是电流控制型器件。电力场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。
常见的功率半导体器件及主要特点是什么
金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：特点：有非常高的输入阻抗和较快的开关速率。它们是现代电源电子中最常用的功率半导体器件之一，广泛应用在开关电源、逆变器等电路中。
电压和电流承受能力：- 功率半导体器件的主要特点是能够承受高电压和高电流。它们通常设计用于高功率应用，如电力传输、电动汽车控制和工业设备。这些器件能够处理数十伏特至数千伏特的电压和几安培到几百安培的电流。
MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）：MOSFET是一种常用的功率开关器件，具有开关速度快、损耗小、可靠性高等优点。在电动汽车变流器中，MOSFET常用于直流母线的开关控制。
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
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